JAXA制造出InGaAs单结晶半导体激光器

时间:2021-09-14 04:05:57 采编:wangshuaigang 阅读:

  


此次制作的单结晶。JAXA提供

  
6月19日消息,日本宇宙航空研究开发机构(JAXA)成功制造出了30mm见方的InGaAs单结晶。这是通过利用宇宙实验获得的成果,开发出使温度与浓度梯度一致的新结晶成长法,并通过减小溶液的厚度抑制对流实现结晶化。该产品是根据以独立行政法人新能源及产业技术综合开发机构(NEDO)为中心制定的共同研究协议,由JAXA与NTT及Furuuchi Chemical共同开发出来的。

  另外,JAXA等还采用此次开发的结晶技术制造出了半导体激光器,并利用光纤进行了通信实验。采用波长为1。3μm的激光成功进行了20km的远程通信。通过光纤传导准确无误地传输了每秒1010次的闪烁信号。

  InGaAs半导体激光器与原来的InP半导体激光器相比,即使温度升高,输出功率也不会明显降低。因此,无需冷却,因而可减少耗电量。JAXA期待今后InGaAs半导体激光器可作为能够大幅削减耗电量的半导体激光器,应用于基于光通信的都市网络基站。

  

 

  

图:新结晶成长法的原理(左)新开发的激光器的结构(中间)比较输出温度依存性的概念图(右)

  JAXA计划从2010年秋到2011年在希望太空实验室的微小重力环境下进行结晶成长实验,以便在宇宙中制造出构造更加均匀的理想的单结晶。通过与在地面获得的单结晶相比较,开发出性能更高的单结晶制造技术。(编辑:曾聪)

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