存储芯片从落后20年,到追上三星、美光,中国厂商只花了6年

时间:2022-10-07 07:40:13 采编:wangshuaigang 阅读:

  

近日,有消息称,国内存储芯片大厂长江存储已向客户交付了192层堆叠的3D NAND闪存芯片。而预计在2022年底或2023年初,会实现232层堆叠的3D NAND闪存技术。

  

这意味着国内存储芯片厂商,终于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才发布了业界首个 232 层堆栈的 3D NAND Flash芯片,而大规模量产和应用要到2022年底或2023年初去了。

  

  

而三星预计也是在2022年内推出200层以上的3D NAND闪存芯片,而大规模应用也要到2023年去了。

  

可见,国产存储芯片,在技术上确实已经追上了三星、美光这样的顶级大厂,大家差不多处于同一水平线了。

  

而仔细说起来,国产存储芯片从之前的落后20年,到现在追上顶级水平,其实只花了6年时间。

  

  

长江存储是2016年成立的,总投资1600亿元,预计建设目标是总产能30万片/月,年产值将超过100亿美元,拿下全球20%以上的市场份额,成为全球知名的NAND闪存厂商。

  

而2016年时,国内在存储芯片上基本一片空白,落后国外水平至少是20年以上。所以很多人并不看好长江存储,觉得可能需要很久的时候,才有可能追上三星、美光等。

  

不曾想长江存储进度非常快,2017年就研制成功了中国第一颗3D NAND闪存芯片,然后在2018年实现了量产,虽然落后国外很多,但有了0的突破。

  

  

后来长江存储又自研出了Xtacking架构,大幅度的提高了存储密度。并在2019年9月份,基于自研Xtacking架构,推出了64层3D NAND Flash,拉近了与三星、美光之间的差距。

  

接着长江存储实现了跳跃式发展,跳过了96层,直接在2020年4月,发布了128层3D NAND 闪存,再次缩小与三星、美光的差距。

  

并且基于Xtacking架构,长江存储128层堆叠的NAND闪存芯片,其存储密度达到了8.48 Gb/mm?,远高于三星、美光、SK海力士等一线NAND芯片大厂。

  

可能很多人不理解,堆叠层数多少有什么意义?在存储芯片领域,堆叠层数越高,意味着工艺越先进,意味着存储密度越高,芯片的成本越低,尺寸越小。

  

  

大家原本以为,长江存储从128层跨越到232层,可能需要几年时间,不曾想在美光、三星进入232层时,长江存储马上也追了上来。

  

而按照机构的数据,2021年,国产存储芯片的市场份额为4%,而2022年可以达到7%左右,而2023年预计会达到12-15%。

  

这也就意味着,长江存储线年多一点的时间,就把原本落后至少20多年的存储芯片技术,追了上来,市场也是飞速增长,这实在是太牛了。

  

而长江存储也给大家证明了一个事实,那就是只要认真扎实去研发,芯片技术一样难不倒我们。

  微软原文标题!存储芯片从落后20年,到追上三星、美光,中国厂商只花了6年

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